据媒体报道，三星采用全环绕栅极架构（Gate-All-Around FET，GAA）的3纳米制程技术已正式流片，性能上优于台积电(120.23,0.62,0.52%)的鳍式场效应架构（FinFET）。
流片即tape-out，在芯片设计领域指试生产，当电路设计完成以后，像流水线一样通过一系列工艺步骤制造芯片，以供测试之用。
报道称，三星在3nm制程的流片进度是与新思科(52.91,-0.05,-0.09%)技（Synopsys）合作完成的。根据新思科技公告，其Synopsys Fusion设计平台加速为GAA架构的生产流程提供高度优化参考方法，使其在功率和性能上均实现最大化。
制程技术的物理设计套件（PDK）已在2019年5月发布，并2020年通过制程技术认证。媒体称，预计此流程使三星3nm GAA结构制程技术用于高性能运算（HPC）、5G、行动和高阶人工智能（AI）应用芯片生产。
伴随此次成功流片，三星3纳米芯片大规模量产或已临近。
GAA FET：FinFET的继任者
专家称，相比台积电或英特尔(56.75,-0.73,-1.27%)所采用的3nm FinFET架构，在技术性能上，GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。
对于场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）来说，决定其效率的一个重要因素就是栅极对通道的控制能力。
自英特尔在22纳米节点上首次采用FinFET架构以来，过去十年，FinFET一直是半导体器件的主流架构。与最初的平面晶体管相比，与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制。
图片来源：Lam Research
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