亚汇网11月10日消息全球顶级半导体峰会之一的FlashMemory峰会将于2020年11月10日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在11月9日晚，美光宣告了自己最新的第五代3DNAND闪存技术，该技术具有176层存储单元堆叠。▲图源官方新的176层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，上一代3DNAND则是128层设计，算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，美光128层3DNAND并没有特别高。此外，虽然升级到了176层，但仍落后于三星。美光方面并未公布太多关于该技术的信息。176层NAND支持的接口速度为1600MT/s，高于其96层和128层闪存的1200MT/s。与96LNAND相比，读（写）延迟提高了35%以上，与128LNAND相比，提高了25%以上。与使用96LNAND的UFS3.1模块相比，美光芯片的总体混合工作负载改善了约15%。亚汇网了解到，美光表示其176层3DNAND已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级SSD产品中出货。
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