9月7日，SEMICON中国台湾地区在线论坛台积电研发资深处长段孝勤在会上发言，他指出台积电在化合物半导体领域专注在氮化镓（GaN）相关开发，历经长期的发展氮化镓已逐渐开始被市场接受，预期未来十年将有更多应用场景。他指出，台积电在氮化镓的五个主要应用场景包含快充、数据中心、太阳能电力转换器、48VDC/DC以及电动车OBC/转换器，对于相关应用蓝图并有对应制程设计。段孝勤提到，台积电过去二十年在功率提升上投入，人们希望使用装置的耗能越少越好，台积也已在BCD电源管理技术上投入，功率组件自然也是重要关键，目前行动装置所需BCD制程已到0.13第三代，并正在开发90/55/40/22BCD，车用部分已有0.18第二代BCD与0.13BCD并正开发最高SOI可达100V的55BCD制程。NVM在电源管理应用上，已推出MRAM对应28/22纳米制程等。段孝勤也展示台积电应对MOSFET的动态与静态制程特性，协助客户开发在功耗瓦数上降低与让产品最终成功。有别于碳化硅（SiC）应用材料特性，台积电更关注在氮化镓（GaN）的商机。就新材料开发上，他提到，硅基氮化镓的挑战主要是表面的不平整程度考验。台积电已开发GaN-on-Silicon技术应对功率与射频组件需求。
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