在HotChips33演示中，AMD概述了3D堆栈技术的未来，例如，AMD表示他们选择了9微米的微凸点(μbump)间距，这比未来10微米的英特尔FoverosDirect技术要密集一些。AMD展示了现有和未来的3D堆叠技术。随着垂直晶圆间或芯片间连接的TSV(ThroughSiliconVia)键合量的增加，该技术将专注于更复杂的3D堆叠设计。据称，堆叠可允许进行全模对模堆叠，带来CPU上有DRAM或CPU上有CPU的效果。该技术的发展方向是：将独立的模块放在各自的模块上，就像核心+核心一样。“最终，TSV的间距将变得更加密集，以至于模块拆分、折叠甚至电路拆分都成为可能，这将彻底改变我们今天所知道的处理器的未来。”广东财经了解到，AMD还列出了所有现有的堆叠技术，包括英特尔的fooveros/EMIB技术，这意味着AMD考虑在其处理器中使用这种技术:AMD预计其3D芯片堆叠技术将提供3倍的互连能效和15倍的互连密度。此外，AMD还宣布了新一代AMDZen3CPU的3D芯片组计划，该芯片组将采用芯到芯TSV。据悉，该技术将L3缓存再增加64MB，而AMD此前已经在AMDRyzen95900XCPU（32+64MB三级缓存）上展示了其3DV-Cache技术的潜力。AMD透露，这一设计将游戏帧率提高了15%的水平。此外，AMD宣布将在今年年底前量产配备3DV-Cache的RyzenCPU。
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